| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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R8002ANX |
TO-220-3 整包 | Rohm Semiconductor | 2154 | 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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R8002ANX参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 包装数量：500 包装形式：散装 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：800V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.3 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：210pF @ 25V 功率 - 最大值：35W 安装类型：通孔 |
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热门型号： FET - 单R6015FNX Card EdgeAMC49DRTI-S93 测试探头尖A054 接线座 - 配件ATB16SP 谐振器AWSCR-20.00CW-T RF FETPD54008S-E 评估板 - DC/EVALTSM1052 测试引线 - 热电CK18M 原型开发板 - 未MK-US-260 锁定，扣锁PSL-CB |
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